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Dettagli del prodotto
DFBeIl laser DBR
Laser DFB ad alta potenza 1550nm
Caratteristiche principali:
- Lunghezza d'onda della rete ITU
- Potenza di uscita fino a 100mW
- RIN basso
- Fibra ottica o SMF28
- saldato e sigillato con laser
- Termostatori integrati e rilevatori di monitoraggio
- Opzionale Bias-T
Applicazione:
- Analog RF Links
- Seeding
- Pulsing
- Sensing
- CATV
Caratteristiche fotoelettriche:
TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.
|
Parameter |
Sym. |
Condition |
Min |
Typ. |
Max |
Unit |
|
Temperatura di funzionamento del chip |
TCHIP |
|
20 |
|
35 |
°C |
|
Corrente soglia |
ITH |
|
|
50 |
|
mA |
|
Corrente di azionamento laser |
IOP |
|
|
375 |
500 |
mA |
|
Tensione positiva del laser |
VF |
I= IMAX |
|
|
3 |
V |
|
Potenza di uscita |
POP |
100mW Version, I=IOP |
100 |
|
|
mW |
|
80mW Version, I=IOP |
80 |
|
|
|||
|
63mW Version, I=IOP |
63 |
|
|
|||
|
50mW Version, I=IOP |
50 |
|
|
|||
|
40mW Version, I=IOP |
40 |
|
|
|||
|
Frequenza centrale |
FOPT |
P=POP |
See ordering information |
THz |
||
|
Larghezza linea |
Δν |
|
|
1 |
|
MHz |
|
Intensità relativa del rumore |
RIN |
P=POP, 0.2GHz→14GHz |
|
|
-150 |
dB/Hz |
|
Rapporto di soppressione del modello laterale |
SMSR |
P=POP |
30 |
|
|
dB |
|
Isolamento ottico |
ISO |
|
30 |
35 |
|
dB |
|
Rapporto di attenzione |
PER |
|
17 |
21 |
|
dB |
|
Monitoraggio della corrente del diodo |
IPD |
|
100 |
|
|
µA |
|
Monitoraggio della corrente oscura del diodo |
ID |
|
|
|
100 |
nA |
|
Seguimento degli errori |
|
|
-0.5 |
|
0.5 |
dB |
|
corrente TEC |
|
TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C |
|
|
4.0 |
A |
|
Tensione TEC |
|
TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C |
|
|
4.0 |
V |
|
Impedanza termistica |
RTH |
T=25°C |
9500 |
10000 |
10500 |
Ω |
|
coefficiente β della termoresistenza |
β |
0 / 50°C |
|
3892 |
|
|
Laser DFB ad alta larghezza di banda
Caratteristiche principali:
- Potenza di uscita fino a 18 mW
- Larghezza di banda alta > 10 GHz
- Prestazioni di impulso ad alta velocità
- Saldatura e sigillatura laser
- Termostatori integrati e rilevatori di monitoraggio
Caratteristiche fotoelettriche:
TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.
|
Parameter |
Sym. |
Condition |
Min |
Typ. |
Max |
Unit |
|
Temperatura di funzionamento del chip |
TCHIP |
|
15 |
|
35 |
°C |
|
Corrente soglia |
ITH |
|
8 |
|
20 |
mA |
|
Corrente di azionamento laser |
IOP |
|
|
75 |
100 |
mA |
|
Tensione positiva del laser |
VF |
I= IMAX |
|
1.6 |
2 |
V |
|
Potenza di uscita |
POP |
I=IOP |
18 |
|
|
mW |
|
Lunghezza d'onda centrale |
λ |
P=POP |
|
1310 |
|
nm |
|
Larghezza linea |
Δ ν |
|
|
1 |
|
MHz |
|
Intensità relativa del rumore |
RIN |
P=POP, 0.2GHz→3GHz |
|
|
-150 |
dB/Hz |
|
Rapporto di soppressione del modello laterale |
SMSR |
P=POP |
30 |
|
|
dB |
|
Isolamento ottico |
ISO |
|
30 |
35 |
|
dB |
|
Rapporto di attenzione |
PER |
|
17 |
19 |
|
dB |
|
Monitoraggio della corrente del diodo |
IPD |
|
50 |
|
|
µA |
|
Monitoraggio della corrente oscura del diodo |
ID |
|
|
|
100 |
nA |
|
Seguimento degli errori |
|
|
-0.5 |
|
0.5 |
dB |
|
corrente TEC |
|
TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C |
|
|
2.0 |
A |
|
Tensione TEC |
|
TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C |
|
|
2.5 |
V |
|
Impedanza termistica |
RTH |
T=25°C |
9500 |
10000 |
10500 |
Ω |
|
coefficiente β della termoresistenza |
β |
0 / 50°C |
|
3892 |
|
|
Laser DBR di 1064nm
Caratteristiche principali:
- Potenza di uscita fino a 150 mW
- Prestazioni impulsive veloci
- Isolamento o fibra ottica SMF28
- Saldatura e sigillatura laser
- TEC integrato e rilevatori di monitoraggio
Applicazione:
- Master oscillator for MOPA
- Seeder for fiber lasers
- Seeder for DPSS lasers
Caratteristiche fotoelettriche:
TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.
|
Parameter |
Sym. |
Condition |
Min |
Typ. |
Max |
Unit |
|
Temperatura di funzionamento del chip |
TCHIP |
|
15 |
|
35 |
°C |
|
Corrente soglia |
ITH |
|
|
40 |
50 |
mA |
|
Corrente di azionamento laser |
IOP |
|
|
500 |
550 |
mA |
|
Tensione positiva del laser |
VF |
I= IMAX |
|
2.0 |
2.5 |
V |
|
Potenza di uscita |
POP |
I=IOP |
|
150 |
|
mW |
|
Lunghezza d'onda centrale |
λ |
P=POP |
1062 |
1064 |
1066 |
nm |
|
Larghezza linea |
Δ ν |
|
|
8 |
10 |
MHz |
|
Rapporto di soppressione del modello laterale |
SMSR |
P=POP |
-30 |
|
|
dB |
|
Rapporto di attenzione |
PER |
|
14 |
19 |
|
dB |
|
Monitoraggio della corrente del diodo |
IPD |
P=POP |
50 |
|
|
µA |
|
Monitoraggio della corrente oscura del diodo |
ID |
|
|
|
100 |
nA |
|
corrente TEC |
|
ΔT=25°C, P=POP |
|
|
3.5 |
A |
|
Tensione TEC |
|
ΔT=25°C, P=POP |
|
|
3.5 |
V |
|
Impedanza termistica |
RTH |
T=25°C |
9500 |
10000 |
10500 |
Ω |
|
coefficiente β della termoresistenza |
β |
0 / 50°C |
|
3892 |
|
|
Laser DFB ad alta potenza 1064 nm
Caratteristiche principali:
- Potenza di uscita fino a 50mW
- Fibra polarizzata
- sigillato
- Isolatore ottico integrato, TEC， Termostatori e rilevatori di monitoraggio
- Bias Tee opzionale
Applicazione:
- Master Oscillator
- Pulsing
- Sensing
- Defense
- Mode-hop free tuning
Caratteristiche fotoelettriche:
TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.
|
Parameter |
Sym. |
Condition |
Min |
Typ. |
Max |
Unit |
|
Temperatura di funzionamento del chip |
TCHIP |
|
20 |
|
40 |
°C |
|
Corrente soglia |
ITH |
|
|
17 |
|
mA |
|
Corrente di azionamento laser |
IOP |
|
|
|
400 |
mA |
|
Tensione positiva del laser |
VF |
I= IMAX |
|
|
3 |
V |
|
Potenza di uscita |
POP |
I=IOP |
50 |
|
|
mW |
|
Lunghezza d'onda centrale |
λ |
P=POP |
1062 |
1064 |
1066 |
nm |
|
Larghezza linea |
Δ ν |
|
|
|
0.1 |
nm |
|
Rapporto di soppressione del modello laterale |
SMSR |
P=POP |
40 |
|
|
dB |
|
Rapporto di attenzione |
PER |
|
17 |
21 |
|
dB |
|
Monitoraggio della corrente del diodo |
IPD |
P=POP |
100 |
|
|
µA |
|
Monitoraggio della corrente oscura del diodo |
ID |
|
|
|
100 |
nA |
|
corrente TEC |
|
ΔT=25°C, P=POP |
|
|
3 |
A |
|
Tensione TEC |
|
ΔT=25°C, P=POP |
|
|
3 |
V |
|
Impedanza termistica |
RTH |
T=25°C |
9500 |
10000 |
10500 |
Ω |
|
coefficiente β della termoresistenza |
β |
0 / 50°C |
|
3892 |
|
|
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Società
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Telefono
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